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失效分析是對于電子元件失效原因進行診斷，在進行失效分析的過程中，往往需要借助儀器設備，以及化學類手段進行分析，以確認失效模式，判斷失效原因，研究失效機理，提出改善預防措施。其方法可以分為有損分析，無損分析，物理分析，化學分析等。其中在進行微觀形貌檢測的時候，尤其是需要觀察斷面或者內部結構時，需要用到離子研磨儀+掃描電鏡結合法，來進行失效分析研究。
離子研磨儀目前是普遍使用的制樣工具，可以進行不同角度的剖面切削以及表面的拋光和清潔處理，以制備出適合半導體故障分析的 SEM 用樣品。
離子研磨儀
TECHNOORG LINDA
1
掃描電鏡
Phenom SEM
2
??
離子研磨儀的(de)基本原理(li)
晶片失效分析思路和方法
案例分享 1
優先判斷失效的位置
鎖定(ding)失效分析位置后(hou)，決定(ding)進行離子研磨(mo)儀進行切割
離子研磨儀中進行切(qie)割
切割后的樣品，放大觀察
放大后發(fa)現故(gu)障位置左右不對稱
進一步(bu)放大(da)后，發現故障位置擠壓變形，開裂(lie)，是造成失效的主要(yao)原因
變形開裂位置
放大倍數(shu)：20,000x
變形開裂位置
放大(da)倍數(shu)：40,000x
IC封裝測試失效分析
案例分享 2
對失效位置進行切割
離子研磨儀中進(jin)行切割(ge)
位(wei)置1. 放(fang)(fang)大后發現此處未連接。放(fang)(fang)大倍數(shu)：30,000x
位置2. 放(fang)(fang)大后發現此(ci)處開裂(lie)。放(fang)(fang)大倍(bei)數：50,000x
PCB/PCBA失效分析
案例分享 3
離子研磨儀
SC-2100
適用于(yu)離子束剖面切削、表面拋光(guang)
可預(yu)設不同切(qie)削角度制備橫(heng)截(jie)面樣品
可(ke)用于樣品拋(pao)光或最終階段的細拋(pao)和清(qing)潔
超高能量離子槍用于(yu)快速拋光
低能量(liang)離子槍適用后處理的表面無(wu)損細拋和清潔
操作簡單，嵌入式計算機系統(tong)，全自動設定(ding)操作
冷卻(que)系(xi)統標準化(hua)，應用于多種類樣本
高分辨率彩(cai)色相(xiang)機實現實時監控拋光過程
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